PVD真空镀膜时，真空室的残余气体成分会对薄膜纯度产生潜在影响。即使真空度较高，仍会存在少量残余气体，如氧气、氮气、水蒸气等。当这些气体分子与沉积的薄膜原子发生反应，就会引入杂质。比如，残余氧气会与金属靶材溅射的原子结合，形成金属氧化物，若薄膜需要的是纯金属，这就会降低薄膜纯度。
 残余氮气可能会与某些金属（如钛、铝等）反应生成氮化物，改变薄膜的成分和性能。水蒸气中的氢和氧也会参与反应，一方面可能形成氢化物，另一方面也会增加氧化物的含量。此外，残余气体分子还可能被吸附在薄膜表面或夹杂在薄膜内部，破坏薄膜的原子排列，影响薄膜的结晶度和致密性，进而从多个方面降低薄膜的纯度和质量。